دیتاشیت Si2399CDS-T1-VB

Si2399CDS-T1-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Si2399CDS-T1-VB
حجم فایل 74.029 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت Si2399CDS-T1-VB

Si2399CDS-T1-VB Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec Si2399CDS-T1-VB
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,4.4A
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

دیتاشیت محصولات مشابه